DDTD143TC-7-F
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
500 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภททรานซิสเตอร์:
NPN - อคติล่วงหน้า
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
ความถี่ - การเปลี่ยน:
200 MHz
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ชุด:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
สท-23-3
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
4.7 กิโลโอห์ม
Mfr:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA (ไอซีบีโอ)
กำลัง - สูงสุด:
200 เมกะวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
100 @ 50mA, 5V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
DDTD143
คําแนะนํา
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) NPN - ทรานซิสเตอร์ 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: