FJN3302RTA
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภททรานซิสเตอร์:
NPN - อคติล่วงหน้า
ความถี่ - การเปลี่ยน:
250 เมกะเฮิรตซ์
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
เทปตัด (CT) เทปและกล่อง (TB)
ชุด:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-92-3
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
10 กิโลโอห์ม
Mfr:
ออนเซมิ
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):
10 กิโลโอห์ม
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100nA (ไอซีบีโอ)
กำลัง - สูงสุด:
300 มิลลิวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) เกิดโอกาสในการขาย
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FJN330
คําแนะนํา
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) NPN - ทรานซิสเตอร์ 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW ผ่านหลุม TO-92-3
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: