UNR92AVG0L
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
80 ม
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภททรานซิสเตอร์:
NPN - อคติล่วงหน้า
ความถี่ - การเปลี่ยน:
150 เมกะเฮิรตซ์
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel®
ชุด:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
250mV @ 1.5mA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SSMini3-F3
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
2.2 กิโลโอห์ม
Mfr:
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Panasonic
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):
2.2 กิโลโอห์ม
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA
กำลัง - สูงสุด:
125 เมกะวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
SC-89, SOT-490
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
6 @ 5mA, 10V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
UNR92A
คําแนะนํา
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) NPN - ทรานซิสเตอร์ 50 V 80 mA 150 MHz 125 mW
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: