UNR42100RA
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](/images/load_icon.gif){kind=icon}
คําอธิบาย:
ทรานส์ พรีเบียส NPN 300MW NS-B1
ประเภท:
อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
มีสินค้า:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
วิธีการจัดส่งสินค้า:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภททรานซิสเตอร์:
NPN - อคติล่วงหน้า
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
ความถี่ - การเปลี่ยน:
150 เมกะเฮิรตซ์
แพ็คเกจ:
เทปตัด (CT) เทปและกล่อง (TB)
ชุด:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
NS-B1
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
47 กิโลโอห์ม
Mfr:
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Panasonic
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA
กำลัง - สูงสุด:
300 มิลลิวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
3-SIP
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
160 @ 5mA, 10V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
UNR421
คําแนะนํา
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) NPN - ทรานซิสเตอร์ 50 V 100 mA 150 MHz 300 mW ผ่านช่อง NS-B1
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: