UNR221700L
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](/images/load_icon.gif){kind=icon}
คําอธิบาย:
ทรานส์ พรีเบียส NPN 200MW MINI3
ประเภท:
อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
มีสินค้า:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
วิธีการจัดส่งสินค้า:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภททรานซิสเตอร์:
NPN - อคติล่วงหน้า
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
ความถี่ - การเปลี่ยน:
150 เมกะเฮิรตซ์
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel®
ชุด:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
มินิ3-G1
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
22 กิโลโอห์ม
Mfr:
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Panasonic
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA
กำลัง - สูงสุด:
200 เมกะวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
160 @ 5mA, 10V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
UNR221
คําแนะนํา
ทรานซิสเตอร์สองขั้วแบบเบี้ยส (BJT) NPN - เบี้ยส 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW พื้นที่ติด Mini3-G1
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: