APTGT600U170D4G

คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 1700V 1100A 2900W D4
ประเภท:
อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
มีสินค้า:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
วิธีการจัดส่งสินค้า:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1100 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
D4
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 600A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
D4
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
2900 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
51nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APTGT600
คําแนะนํา
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนามเดียว 1700 V 1100 A 2900 W แชสซี่ Mount D4
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: