MG1215H-XBN2MM
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
25 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 15A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
ลิตเทลฟิวส์อินค
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 125°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
50 μA
ประเภท IGBT:
-
กำลัง - สูงสุด:
105 วัตต์
หน่วยงาน:
วงจรเรียงกระแสสะพานสามเฟส
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
1.1nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟสพร้อมเบรค
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
คําแนะนํา
โมดูล IGBT อินเวอร์เตอร์สามเฟสพร้อมเบรค 1200 V 25 A 105 W โมดูลการติดตั้งชาสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: